창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5383B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 108V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5383BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5383B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5383B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812Y821JBAAT4X | 820pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y821JBAAT4X.pdf | |
| 510ABA000149BAG | 74.175824MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 43mA Enable/Disable | 510ABA000149BAG.pdf | ||
![]() | CRGH1206J4R3 | RES SMD 4.3 OHM 5% 1/2W 1206 | CRGH1206J4R3.pdf | |
![]() | Y00624K99000T0L | RES 4.99K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00624K99000T0L.pdf | |
![]() | PHN319A | PHN319A CMD DIP20 | PHN319A.pdf | |
![]() | NRLFW151M160V22X20F | NRLFW151M160V22X20F NICC SMD or Through Hole | NRLFW151M160V22X20F.pdf | |
![]() | 8129-5 | 8129-5 UTC SOT-23 | 8129-5.pdf | |
![]() | S1C33L03F00A200 | S1C33L03F00A200 EPSON QFP-144P | S1C33L03F00A200.pdf | |
![]() | 420VXH100M22*25 | 420VXH100M22*25 RUBYCON DIP-2 | 420VXH100M22*25.pdf | |
![]() | SC405613 | SC405613 MOT SOP | SC405613.pdf | |
![]() | M5M51008DFP-55HST | M5M51008DFP-55HST RenesasTechnology SMD or Through Hole | M5M51008DFP-55HST.pdf | |
![]() | CG-610 | CG-610 N/A DIP | CG-610.pdf |