창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5383B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 108V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5383BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5383B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5383B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C3225JB2A334M200AA | 0.33µF 100V 세라믹 커패시터 JB 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225JB2A334M200AA.pdf | |
![]() | VJ0402D300JLAAC | 30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D300JLAAC.pdf | |
![]() | U3C-M3/9AT | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB | U3C-M3/9AT.pdf | |
![]() | RD1679B | RD1679B FANUC SIP16 | RD1679B.pdf | |
![]() | CL-FHFI6N80-D2M0-4M | CL-FHFI6N80-D2M0-4M FUJITSU SMD or Through Hole | CL-FHFI6N80-D2M0-4M.pdf | |
![]() | LH0004MH/883 | LH0004MH/883 NS CAN10 | LH0004MH/883.pdf | |
![]() | MACO215011S208(08-0101-01) | MACO215011S208(08-0101-01) OR SMD or Through Hole | MACO215011S208(08-0101-01).pdf | |
![]() | BLT7118 | BLT7118 ORIGINAL SMD or Through Hole | BLT7118.pdf | |
![]() | M24256-BWP | M24256-BWP STM SOP-8 | M24256-BWP.pdf | |
![]() | F10S50VX3 | F10S50VX3 ORIGINAL TO | F10S50VX3.pdf | |
![]() | IPC045N03LB | IPC045N03LB Infineon SMD or Through Hole | IPC045N03LB.pdf |