창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5383B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 108V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5383BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5383B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5383B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 7448640418 | 33mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 300mA DCR 2.5 Ohm (Typ) | 7448640418.pdf | |
![]() | 752241222GP | RES ARRAY 22 RES 2.2K OHM 24DRT | 752241222GP.pdf | |
![]() | MBA02040C8252FRP00 | RES 82.5K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C8252FRP00.pdf | |
![]() | BSH11 | BSH11 NXP SOT23 | BSH11.pdf | |
![]() | DAP202K(P) | DAP202K(P) ROHM SMD or Through Hole | DAP202K(P).pdf | |
![]() | CEGMK325BJ225MN-T | CEGMK325BJ225MN-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | CEGMK325BJ225MN-T.pdf | |
![]() | 1690A-T-BC | 1690A-T-BC LUCENT QFP | 1690A-T-BC.pdf | |
![]() | KM681000ALR-7 | KM681000ALR-7 SAMSUNG ORIGINAL | KM681000ALR-7.pdf | |
![]() | M29F800DB70M6 | M29F800DB70M6 ST SOP | M29F800DB70M6.pdf | |
![]() | RTT01120JTH12R | RTT01120JTH12R ORIGINAL SMD or Through Hole | RTT01120JTH12R.pdf | |
![]() | EN569-321 | EN569-321 AI SOT-23 | EN569-321.pdf | |
![]() | NE900100 | NE900100 Nec SMD or Through Hole | NE900100.pdf |