창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5383B/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 108V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5383B/TR12 | |
관련 링크 | 1N5383B, 1N5383B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 520R20DA40M0000 | 40MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3V 2.5mA | 520R20DA40M0000.pdf | |
![]() | S0603-39NH3D | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-39NH3D.pdf | |
![]() | AR0805FR-072M2L | RES SMD 2.2M OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-072M2L.pdf | |
![]() | CRCW06033K90JNTA | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW06033K90JNTA.pdf | |
![]() | NN1-05S15S | NN1-05S15S SHANGMEI SMD or Through Hole | NN1-05S15S.pdf | |
![]() | 2SC4117-GR(TE85LF9 | 2SC4117-GR(TE85LF9 Toshiba SOP DIP | 2SC4117-GR(TE85LF9.pdf | |
![]() | LTA070B0C0A | LTA070B0C0A ORIGINAL SMD or Through Hole | LTA070B0C0A.pdf | |
![]() | RMC05220 | RMC05220 ORIGINAL DIP | RMC05220.pdf | |
![]() | 09-062021001 IN | 09-062021001 IN ORIGINAL SMD or Through Hole | 09-062021001 IN.pdf | |
![]() | 1FI150B-060 | 1FI150B-060 FUJI SMD or Through Hole | 1FI150B-060.pdf | |
![]() | SI4200M | SI4200M SANKEN SMD or Through Hole | SI4200M.pdf |