창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5382B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 140V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 230옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 101V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5382BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5382B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5382B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0225C1E4R6CA03L | 4.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E4R6CA03L.pdf | |
![]() | VJ1206Y332KBEAT4X | 3300pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y332KBEAT4X.pdf | |
![]() | C1206C680KGRACTU | 68pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C680KGRACTU.pdf | |
![]() | SIT8918AA-23-33E-80.000000E | OSC XO 3.3V 80MHZ OE | SIT8918AA-23-33E-80.000000E.pdf | |
| VS-30EPH03PBF | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC | VS-30EPH03PBF.pdf | ||
![]() | FMMTA14TA | TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3 | FMMTA14TA.pdf | |
![]() | AM28F256 | AM28F256 AMD DIP | AM28F256.pdf | |
![]() | CSTCV33.86MXJ040-TC20 | CSTCV33.86MXJ040-TC20 MURATA SMD | CSTCV33.86MXJ040-TC20.pdf | |
![]() | 3DD13003 TO:220 | 3DD13003 TO:220 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DD13003 TO:220.pdf | |
![]() | EUP2624MIR | EUP2624MIR EUTECH MSOP-8 | EUP2624MIR.pdf | |
![]() | 881WP3 | 881WP3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 881WP3.pdf | |
![]() | UVO80-16N01 | UVO80-16N01 ORIGINAL SMD or Through Hole | UVO80-16N01.pdf |