창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5381E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 190옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 93.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5381E3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5381E, 1N5381E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | P1206E10R0CB | P1206E10R0CB VISHAY ORIGINAL | P1206E10R0CB.pdf | |
![]() | B12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN) | B12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN) JST 12p1.5 | B12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | NE510 | NE510 ORIGINAL DIP | NE510.pdf | |
![]() | EG103C 100A | EG103C 100A FUJI SMD or Through Hole | EG103C 100A.pdf | |
![]() | SG2A105M05011PA146 | SG2A105M05011PA146 SAMWHA SMD or Through Hole | SG2A105M05011PA146.pdf | |
![]() | EPR311A034 | EPR311A034 ECE DIPSOP | EPR311A034.pdf | |
![]() | ID8233-1.8V | ID8233-1.8V iDESYN SOT23-5 | ID8233-1.8V.pdf | |
![]() | ECET50R222SW | ECET50R222SW PANASONIC SMD or Through Hole | ECET50R222SW.pdf | |
![]() | TCM1R5K10-A | TCM1R5K10-A RGA A 1.5UF 10V | TCM1R5K10-A.pdf | |
![]() | 08-0778-03 | 08-0778-03 SISCO SMD or Through Hole | 08-0778-03.pdf | |
![]() | RCH114NP-120KB | RCH114NP-120KB SUMIDA DIP | RCH114NP-120KB.pdf | |
![]() | EP3C55F780CN | EP3C55F780CN ALTERA BGA780 | EP3C55F780CN.pdf |