창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5379BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 79.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5379BE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5379BE, 1N5379BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445C3XH30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 32pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XH30M00000.pdf | |
![]() | VS-1N1190 | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | VS-1N1190.pdf | |
![]() | STW20NM60FD | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | STW20NM60FD.pdf | |
![]() | 1210-472J | 4.7µH Unshielded Inductor 352mA 1.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | 1210-472J.pdf | |
![]() | ATCA-07-301M-V | 300µH Unshielded Toroidal Inductor 2A 142 mOhm Max Radial | ATCA-07-301M-V.pdf | |
![]() | AF0402FR-07180KL | RES SMD 180K OHM 1% 1/16W 0402 | AF0402FR-07180KL.pdf | |
![]() | PLT0603Z5971LBTS | RES SMD 5.97K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z5971LBTS.pdf | |
![]() | CMF55120R00BEEB | RES 120 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55120R00BEEB.pdf | |
![]() | RNF18FTD221R | RES 221 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD221R.pdf | |
![]() | BF982 | BF982 PHILIPS SOT103 | BF982.pdf | |
![]() | ANP82BPQ | ANP82BPQ AURAVISI QFP-64 | ANP82BPQ.pdf | |
![]() | MC74LVX259DT | MC74LVX259DT ON SMD or Through Hole | MC74LVX259DT.pdf |