창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5379B/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 79.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5379B 1N5379BMSTR 1N5379BMSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5379B/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5379B, 1N5379B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 06036A331KAT2A | 330pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06036A331KAT2A.pdf | |
![]() | ERJ-P08J752V | RES SMD 7.5K OHM 5% 2/3W 1206 | ERJ-P08J752V.pdf | |
![]() | 753091510GPTR13 | RES ARRAY 8 RES 51 OHM 9SRT | 753091510GPTR13.pdf | |
![]() | Y1747V0023QT0R | RES ARRAY 4 RES 500 OHM 8SOIC | Y1747V0023QT0R.pdf | |
![]() | P2600S | P2600S Semitel SMD or Through Hole | P2600S.pdf | |
![]() | C0603C0G1E330JT00NN | C0603C0G1E330JT00NN TDK SMD or Through Hole | C0603C0G1E330JT00NN.pdf | |
![]() | TA75557S | TA75557S TOS SIP-9 | TA75557S.pdf | |
![]() | UC1691BJ/883B | UC1691BJ/883B UNITRODE CDIP | UC1691BJ/883B.pdf | |
![]() | C51-6-A1 | C51-6-A1 NVIDIA BGA | C51-6-A1.pdf | |
![]() | D2S | D2S NO SMD or Through Hole | D2S.pdf | |
![]() | TO-3P1 RU1822 | TO-3P1 RU1822 PXD SMD or Through Hole | TO-3P1 RU1822.pdf | |
![]() | CY27H010-123WC | CY27H010-123WC CYPERSS CWDIP | CY27H010-123WC.pdf |