창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5377CE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 91V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 65.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5377CE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5377CE, 1N5377CE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-73-33E-31.250000D | OSC XO 3.3V 31.25MHZ OE | SIT8008BI-73-33E-31.250000D.pdf | |
![]() | RCH664NP-3R3M | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 2.83A 30.8 mOhm Max Radial | RCH664NP-3R3M.pdf | |
![]() | SMLJ9.0CA-T | SMLJ9.0CA-T Microcommercialcomponents DO-214AB | SMLJ9.0CA-T.pdf | |
![]() | DST410 32.768KHZ | DST410 32.768KHZ ORIGINAL SMD | DST410 32.768KHZ.pdf | |
![]() | PC33887DWB | PC33887DWB MOT SSOP7.8 | PC33887DWB.pdf | |
![]() | SG113 | SG113 KODENSHI SMD or Through Hole | SG113.pdf | |
![]() | 1N6024BTA | 1N6024BTA TCKELCJTCON DO-35 | 1N6024BTA.pdf | |
![]() | RTJ-50V330MG10-R | RTJ-50V330MG10-R ELNA SMD or Through Hole | RTJ-50V330MG10-R.pdf | |
![]() | BGF200 TEL:82766440 | BGF200 TEL:82766440 INFINEON SMD or Through Hole | BGF200 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 2SK1289-S | 2SK1289-S NEC TO-262 | 2SK1289-S.pdf | |
![]() | ORZ-SS-205D | ORZ-SS-205D OEG SMD or Through Hole | ORZ-SS-205D.pdf | |
![]() | SL40630L | SL40630L ORIGINAL CDIP16 | SL40630L.pdf |