창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5376C/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 63V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5376C/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5376, 1N5376C/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ES3G-M3/9AT | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | ES3G-M3/9AT.pdf | |
![]() | DSD35-11B | DSD35-11B BBC SMD or Through Hole | DSD35-11B.pdf | |
![]() | S1M8838X01-N0T0 | S1M8838X01-N0T0 SAMSUNG QFN | S1M8838X01-N0T0.pdf | |
![]() | TC55W1600XB-7 | TC55W1600XB-7 TOSHIBA BGA | TC55W1600XB-7.pdf | |
![]() | XCR5032CPC44-6C | XCR5032CPC44-6C XILINX PLCC | XCR5032CPC44-6C.pdf | |
![]() | S3F866BXZZ-PZ9B | S3F866BXZZ-PZ9B SAMSUNG PLCC44 | S3F866BXZZ-PZ9B.pdf | |
![]() | MC68360CZP25C | MC68360CZP25C MOT BGA | MC68360CZP25C.pdf | |
![]() | MA11-1200DDC/883C | MA11-1200DDC/883C ORIGINAL DIP | MA11-1200DDC/883C.pdf | |
![]() | JANTX1N2457A | JANTX1N2457A MLX SMD or Through Hole | JANTX1N2457A.pdf | |
![]() | C2012X7R2A223KT020 | C2012X7R2A223KT020 TDK SMD or Through Hole | C2012X7R2A223KT020.pdf | |
![]() | C535-C | C535-C ORIGINAL TO-92 | C535-C.pdf |