창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5376BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 63V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5376BE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5376BE, 1N5376BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ABM8-32.000MHZ-B2-T3 | 32MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8-32.000MHZ-B2-T3.pdf | ||
40F5R0 | RES 5 OHM 10W 1% AXIAL | 40F5R0.pdf | ||
216C7TZBGA13 M7-C 7500 | 216C7TZBGA13 M7-C 7500 ATI BGA | 216C7TZBGA13 M7-C 7500.pdf | ||
25AA080C-I/P | 25AA080C-I/P Microchip 8-PDIP | 25AA080C-I/P.pdf | ||
SCM-2500NL+ | SCM-2500NL+ MINI SMD or Through Hole | SCM-2500NL+.pdf | ||
TK11247BMC | TK11247BMC TOKO SMD or Through Hole | TK11247BMC.pdf | ||
CQ5-1R0 | CQ5-1R0 KOR SMD | CQ5-1R0.pdf | ||
DF11-16DS-2C | DF11-16DS-2C HIROSEELECTRICUK SMD or Through Hole | DF11-16DS-2C.pdf | ||
ADVC814ARV | ADVC814ARV AD SOP | ADVC814ARV.pdf | ||
ADE-18+ | ADE-18+ MINICIR SMD or Through Hole | ADE-18+.pdf | ||
UML1HR22MDD1TD | UML1HR22MDD1TD NICHICON DIP | UML1HR22MDD1TD.pdf | ||
S10B-JL-FE | S10B-JL-FE JST SMD or Through Hole | S10B-JL-FE.pdf |