창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5375BG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 65옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 1N5375BGOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5375BG | |
관련 링크 | 1N53, 1N5375BG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ERG-3SJ301A | RES 300 OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ301A.pdf | |
![]() | 046252018000800+ | 046252018000800+ KYOCERA SMD or Through Hole | 046252018000800+.pdf | |
![]() | MT58L128L32F1B-10A | MT58L128L32F1B-10A MSM BGA | MT58L128L32F1B-10A.pdf | |
![]() | HYE25L256160AF-7.5A | HYE25L256160AF-7.5A ORIGINAL BGA | HYE25L256160AF-7.5A.pdf | |
![]() | TSB41BA3ATPFPEP | TSB41BA3ATPFPEP TI TQFP | TSB41BA3ATPFPEP.pdf | |
![]() | Z8612704PSCR-1180 | Z8612704PSCR-1180 ZILOG SMD or Through Hole | Z8612704PSCR-1180.pdf | |
![]() | 9671S-39Y902 | 9671S-39Y902 ORIGINAL SMD or Through Hole | 9671S-39Y902.pdf | |
![]() | OBS-AS0A423-N2RB-7F | OBS-AS0A423-N2RB-7F FOXCONN SMD or Through Hole | OBS-AS0A423-N2RB-7F.pdf | |
![]() | K7P401822B-HC25 | K7P401822B-HC25 SAMSUNG BGA | K7P401822B-HC25.pdf | |
![]() | HF2024-102Y2R0-T01 | HF2024-102Y2R0-T01 TDK DIP | HF2024-102Y2R0-T01.pdf | |
![]() | CD100M100F10PKKKV00R | CD100M100F10PKKKV00R SUSCON SMD or Through Hole | CD100M100F10PKKKV00R.pdf | |
![]() | HR911103A | HR911103A ORIGINAL DIP | HR911103A .pdf |