창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5373CE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 44옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 49V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5373CE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5373CE, 1N5373CE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BAT46-TR | DIODE SCHOTTKY 100V 150MA DO35 | BAT46-TR.pdf | |
![]() | PDTC123TT,235 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | PDTC123TT,235.pdf | |
![]() | FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC | FDS5351.pdf | |
![]() | CRGV2512F61K9 | RES SMD 61.9K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F61K9.pdf | |
![]() | Y07863K48000F0L | RES 3.48K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y07863K48000F0L.pdf | |
![]() | ERBRD0R31X | ERBRD0R31X PANASONIC SMD | ERBRD0R31X.pdf | |
![]() | 9913-125 | 9913-125 BIV SMD or Through Hole | 9913-125.pdf | |
![]() | MT46H32M16LFBF | MT46H32M16LFBF MICRON SMD or Through Hole | MT46H32M16LFBF.pdf | |
![]() | MG200Q2YS60A | MG200Q2YS60A TOSHIBA SMD or Through Hole | MG200Q2YS60A.pdf | |
![]() | CG82NM10 Secret | CG82NM10 Secret INTEL BGA | CG82NM10 Secret.pdf | |
![]() | PM7324-BL | PM7324-BL PMC BGA | PM7324-BL.pdf | |
![]() | 1812B271M202NT 1812-271M 2KV | 1812B271M202NT 1812-271M 2KV W SMD or Through Hole | 1812B271M202NT 1812-271M 2KV.pdf |