창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5373BRLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 44옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 51.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1N5373BRLG-ND 1N5373BRLGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5373BRLG | |
| 관련 링크 | 1N5373, 1N5373BRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 10ZLH3900MEFCGA12.5X25 | 3900µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 10ZLH3900MEFCGA12.5X25.pdf | |
![]() | SIT8008BC-83-33E-55.000000Y | OSC XO 3.3V 55MHZ OE | SIT8008BC-83-33E-55.000000Y.pdf | |
![]() | SC2220-222 | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 30.1 Ohm Max Nonstandard | SC2220-222.pdf | |
![]() | RC0402DR-07820KL | RES SMD 820K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-07820KL.pdf | |
![]() | RNF14FTC11K3 | RES 11.3K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC11K3.pdf | |
![]() | ADP3339AKC-25 | ADP3339AKC-25 AD SMD or Through Hole | ADP3339AKC-25.pdf | |
![]() | TR125-F1 | TR125-F1 SOLID DIPSOP | TR125-F1.pdf | |
![]() | P2912E | P2912E BB QFP | P2912E.pdf | |
![]() | SGM810-RXN3 TR | SGM810-RXN3 TR SG-MICRO SOT23 | SGM810-RXN3 TR.pdf | |
![]() | RK100W4E00J | RK100W4E00J ORIGINAL SMD or Through Hole | RK100W4E00J.pdf | |
![]() | TDA15351HV/N1C00-13 | TDA15351HV/N1C00-13 ORIGINAL QFP | TDA15351HV/N1C00-13.pdf |