창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5373B/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 44옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 49V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5373B/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5373B, 1N5373B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NX8045GB-8.000M-STD-CSF-4 | 8MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX8045GB-8.000M-STD-CSF-4.pdf | |
![]() | Y1750200K000V9L | RES 200K OHM 0.4W 0.005% AXIAL | Y1750200K000V9L.pdf | |
![]() | RF1S15N06 | RF1S15N06 HARRIS SMD or Through Hole | RF1S15N06.pdf | |
![]() | T493B335M035AT | T493B335M035AT KEMET SMD or Through Hole | T493B335M035AT.pdf | |
![]() | NXP74HC4053D | NXP74HC4053D NXP SOP16 | NXP74HC4053D.pdf | |
![]() | LH531476 | LH531476 SHARP DIP | LH531476.pdf | |
![]() | TB62726BN | TB62726BN TOS SDIP24 | TB62726BN.pdf | |
![]() | MCP1640EV-SBC | MCP1640EV-SBC MICROCHIP Call | MCP1640EV-SBC.pdf | |
![]() | SMH4042GBLMT | SMH4042GBLMT SUMMIT SSOP28 | SMH4042GBLMT.pdf | |
![]() | FDA59N25/FDA59N30 | FDA59N25/FDA59N30 FAIRCHILD TO-3PN | FDA59N25/FDA59N30.pdf | |
![]() | CDRH8D28-101 | CDRH8D28-101 HZ SMD or Through Hole | CDRH8D28-101.pdf | |
![]() | DS1488N /MC1488P | DS1488N /MC1488P NS DIP-14 | DS1488N /MC1488P.pdf |