창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5367C/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 31V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5367C/TR8 | |
관련 링크 | 1N5367, 1N5367C/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RNF14BTC121K | RES 121K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTC121K.pdf | |
![]() | HFQ362Q836MA1(836M | HFQ362Q836MA1(836M MURATA 11X12 | HFQ362Q836MA1(836M.pdf | |
![]() | RN6 | RN6 ORIGINAL DIP | RN6.pdf | |
![]() | AT49BN6416T | AT49BN6416T ATMEL SMD or Through Hole | AT49BN6416T.pdf | |
![]() | DAC-HK12BMM | DAC-HK12BMM DATEL DIP24 | DAC-HK12BMM.pdf | |
![]() | TL831 | TL831 ORIGINAL SMD or Through Hole | TL831.pdf | |
![]() | AT28C010E-10DM/883 | AT28C010E-10DM/883 ATMEL CDIP | AT28C010E-10DM/883.pdf | |
![]() | MMLE2A823JT | MMLE2A823JT HITACHI SMD or Through Hole | MMLE2A823JT.pdf | |
![]() | MAX1792EUA33+ | MAX1792EUA33+ MAXIM MSOP8 | MAX1792EUA33+.pdf | |
![]() | UCS2909 | UCS2909 UCS SMD or Through Hole | UCS2909.pdf |