창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5367AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 31V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5367AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5367AE, 1N5367AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IR26-51C/L110/TR8 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 65mA 1mW/sr @ 20mA 20° 2-SMD, No Lead | IR26-51C/L110/TR8.pdf | |
![]() | IHLP2525CZER1R5M07 | 1.5µH Shielded Molded Inductor 9A 14.5 mOhm Nonstandard | IHLP2525CZER1R5M07.pdf | |
![]() | MAX2710KD | MAX2710KD MAX CDIP14 | MAX2710KD.pdf | |
![]() | TEPSLD0G227M12R | TEPSLD0G227M12R NEC SMD or Through Hole | TEPSLD0G227M12R.pdf | |
![]() | CA1394AT/3 | CA1394AT/3 RCA CAN | CA1394AT/3.pdf | |
![]() | 322823 | 322823 TYCO SMD or Through Hole | 322823.pdf | |
![]() | 50SJV4R7M5X6.1 | 50SJV4R7M5X6.1 RUBYCON SMD or Through Hole | 50SJV4R7M5X6.1.pdf | |
![]() | ZVC | ZVC TI QFN10 | ZVC.pdf | |
![]() | RVO-10V221MG68P2-R | RVO-10V221MG68P2-R ELNA SMD | RVO-10V221MG68P2-R.pdf | |
![]() | XC68HC908GP32CFB | XC68HC908GP32CFB MOT QFP | XC68HC908GP32CFB.pdf | |
![]() | LQG11A56NJ00T | LQG11A56NJ00T MURATA SMD or Through Hole | LQG11A56NJ00T.pdf | |
![]() | NIN-FCR82JTRF | NIN-FCR82JTRF NIC SMD | NIN-FCR82JTRF.pdf |