창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5366E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 28.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5366E3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5366E, 1N5366E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
BFC238553113 | 0.011µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC238553113.pdf | ||
402F5001XIAT | 50MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F5001XIAT.pdf | ||
MCR25JZHJ6R8 | RES SMD 6.8 OHM 5% 1/4W 1210 | MCR25JZHJ6R8.pdf | ||
ERJ-T06J111V | RES SMD 110 OHM 5% 1/4W 0805 | ERJ-T06J111V.pdf | ||
Y14870R02200B9R | RES SMD 0.022 OHM 0.1% 1W 2512 | Y14870R02200B9R.pdf | ||
101-K 2KV | 101-K 2KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 101-K 2KV.pdf | ||
16K(1602) 1% 0402 | 16K(1602) 1% 0402 ORIGINAL SMD or Through Hole | 16K(1602) 1% 0402.pdf | ||
EL0305RA-2R2J-PF | EL0305RA-2R2J-PF TDK DIP | EL0305RA-2R2J-PF.pdf | ||
XC3042A-7PG132C | XC3042A-7PG132C XILINX PGA | XC3042A-7PG132C.pdf | ||
RTN02-10/10R | RTN02-10/10R ORIGINAL SMD | RTN02-10/10R.pdf | ||
IDT74SSTU32D868BKG | IDT74SSTU32D868BKG IDT 176 TFBGA (GREEN) | IDT74SSTU32D868BKG.pdf | ||
GBU402C | GBU402C HY/ SMD or Through Hole | GBU402C.pdf |