창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5366A/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 28.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5366A/TR8 | |
관련 링크 | 1N5366, 1N5366A/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
RT1210CRD07191KL | RES SMD 191K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07191KL.pdf | ||
DP8304J-B | DP8304J-B ORIGINAL DIP16 | DP8304J-B.pdf | ||
VJ1210A102GFAT | VJ1210A102GFAT ORIGINAL 1210 | VJ1210A102GFAT.pdf | ||
KRB0712D-3W | KRB0712D-3W MORNSUN DIP | KRB0712D-3W.pdf | ||
W24M257AK-12 | W24M257AK-12 ORIGINAL DIP | W24M257AK-12.pdf | ||
TRS3221EIDBG4 | TRS3221EIDBG4 TI TSSOP16 | TRS3221EIDBG4.pdf | ||
G17H27A0122 | G17H27A0122 AMPHENOL SMD or Through Hole | G17H27A0122.pdf | ||
KBU806G | KBU806G ORIGINAL SMD or Through Hole | KBU806G.pdf | ||
TD425N12 | TD425N12 ORIGINAL SMD or Through Hole | TD425N12.pdf | ||
XC4010E-2PQ208I | XC4010E-2PQ208I XILINX SMD or Through Hole | XC4010E-2PQ208I.pdf | ||
MSBT4403LT1G | MSBT4403LT1G ORIGINAL SOT-23 | MSBT4403LT1G.pdf | ||
DDP-SJS-F1 | DDP-SJS-F1 DOMINAT ROHS | DDP-SJS-F1.pdf |