창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5365AE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 25.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5365AE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5365AE, 1N5365AE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
PHP00805E1070BST1 | RES SMD 107 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1070BST1.pdf | ||
MB1430APFQ-G-BND | MB1430APFQ-G-BND FUJITSU QFP-64 | MB1430APFQ-G-BND.pdf | ||
173858-6 | 173858-6 TYCO/AMP SMD | 173858-6.pdf | ||
KA7808CV | KA7808CV FSC TO-220 | KA7808CV.pdf | ||
49716003213/6X60ST/ZN | 49716003213/6X60ST/ZN WURTHELEKTRONIK SMD or Through Hole | 49716003213/6X60ST/ZN.pdf | ||
2SC4617/BQ | 2SC4617/BQ ROHM SMD or Through Hole | 2SC4617/BQ.pdf | ||
1682Q | 1682Q SHARP DIP10SMD | 1682Q.pdf | ||
74VHC00MTR | 74VHC00MTR ST SOP-3.9-14P | 74VHC00MTR.pdf | ||
T7782A | T7782A TOSHIBA QFP | T7782A.pdf | ||
EW82845PE | EW82845PE INTEL BGA | EW82845PE.pdf | ||
103-0009-EVX | 103-0009-EVX MOUNTAINSWITCH/WSI SMD or Through Hole | 103-0009-EVX.pdf | ||
18122R474J9BB00DA | 18122R474J9BB00DA PHILIPS SMD | 18122R474J9BB00DA.pdf |