창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5364AE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 23.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5364AE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5364A, 1N5364AE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TS286F33IET | 28.63636MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS286F33IET.pdf | |
![]() | B39961-B4005-Z810 | B39961-B4005-Z810 EPCOS SMD or Through Hole | B39961-B4005-Z810.pdf | |
![]() | TLE4473GV55-2TR | TLE4473GV55-2TR Infineon SMD or Through Hole | TLE4473GV55-2TR.pdf | |
![]() | 1035226 | 1035226 TYIQUINT QFN | 1035226.pdf | |
![]() | 2SK1273 | 2SK1273 REN SOT-89 | 2SK1273.pdf | |
![]() | 24.000HC49/SM | 24.000HC49/SM fronter SMD or Through Hole | 24.000HC49/SM.pdf | |
![]() | CE4890S | CE4890S CHIPOWER SMD or Through Hole | CE4890S.pdf | |
![]() | E5-652N | E5-652N EPICENTER SMD or Through Hole | E5-652N.pdf | |
![]() | CDRB2MX5R0G105M | CDRB2MX5R0G105M TDK SMD | CDRB2MX5R0G105M.pdf | |
![]() | NFI7/NFB6 | NFI7/NFB6 ORIGINAL SMD or Through Hole | NFI7/NFB6.pdf | |
![]() | LWM1000A | LWM1000A LUXPIA SMD or Through Hole | LWM1000A.pdf |