창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5364/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 23.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5364/TR8 | |
관련 링크 | 1N5364, 1N5364/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | DSAZR1-362M | DSAZR1-362M MIT DIP-2P | DSAZR1-362M.pdf | |
![]() | M366S3323CT0-C75 | M366S3323CT0-C75 Samsung Tray | M366S3323CT0-C75.pdf | |
![]() | 748389-7 | 748389-7 AMP con | 748389-7.pdf | |
![]() | DF13A4P1.25H21 | DF13A4P1.25H21 HIROSE SMD or Through Hole | DF13A4P1.25H21.pdf | |
![]() | RBPQ-R001A | RBPQ-R001A ORIGINAL SMD or Through Hole | RBPQ-R001A.pdf | |
![]() | HI1-6561A-7 | HI1-6561A-7 HARRIS DIP | HI1-6561A-7.pdf | |
![]() | DSD2P-12V | DSD2P-12V HP SMD or Through Hole | DSD2P-12V.pdf | |
![]() | CD40908BF | CD40908BF TI DIP | CD40908BF.pdf | |
![]() | BGD904,112 | BGD904,112 PHILIPS 7SOT-115J | BGD904,112.pdf | |
![]() | N74ALS10AD-T | N74ALS10AD-T NXP SOP | N74ALS10AD-T.pdf | |
![]() | SML-310MTT86-N | SML-310MTT86-N ROHM SMD or Through Hole | SML-310MTT86-N.pdf |