창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5363C/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5363C/TR8 | |
관련 링크 | 1N5363, 1N5363C/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
VJ0805D180GLAAP | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D180GLAAP.pdf | ||
402F54011CLT | 54MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F54011CLT.pdf | ||
CRCW12108R06FNTA | RES SMD 8.06 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12108R06FNTA.pdf | ||
UNR521L00L | UNR521L00L ORIGINAL SMD or Through Hole | UNR521L00L.pdf | ||
CMPZ5260B-TR | CMPZ5260B-TR CENTRAI SOT-23 | CMPZ5260B-TR.pdf | ||
GMI434D-999A-W | GMI434D-999A-W GENERALPL SMD or Through Hole | GMI434D-999A-W.pdf | ||
S1D1335FOOA | S1D1335FOOA EPSON QFP | S1D1335FOOA.pdf | ||
RPIXF2400BB | RPIXF2400BB INTEL BGA | RPIXF2400BB.pdf | ||
SCL4402V4 | SCL4402V4 nsc SMD or Through Hole | SCL4402V4.pdf | ||
2SD1668S | 2SD1668S SANYO TO220F | 2SD1668S.pdf | ||
EUP8207-84ADIR1 | EUP8207-84ADIR1 EUTECH SOP-8 | EUP8207-84ADIR1.pdf |