창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5363BE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5363BE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5363BE, 1N5363BE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ERA-8AEB4992V | RES SMD 49.9K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB4992V.pdf | ||
CMF65111K70BEBF | RES 111.7K OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF65111K70BEBF.pdf | ||
CJ460669 | CJ460669 ICS TSSOP | CJ460669.pdf | ||
SM7513 | SM7513 ORIGINAL SMD or Through Hole | SM7513.pdf | ||
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CL21B104MPCNBN | CL21B104MPCNBN SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21B104MPCNBN.pdf | ||
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MBR3200 | MBR3200 PANJIT SMD or Through Hole | MBR3200.pdf | ||
BCM5227A4KFB | BCM5227A4KFB BROADCOM BGA | BCM5227A4KFB.pdf |