창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5363B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5363BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5363B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5363B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RMCF2512JT4K70 | RES SMD 4.7K OHM 5% 1W 2512 | RMCF2512JT4K70.pdf | |
![]() | CRCW040216K2FKEDHP | RES SMD 16.2K OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW040216K2FKEDHP.pdf | |
![]() | CMF5592K000BHRE | RES 92K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5592K000BHRE.pdf | |
![]() | HFA7 | HFA7 AVAGO QFN | HFA7.pdf | |
![]() | D396-0 | D396-0 MDT SMD or Through Hole | D396-0.pdf | |
![]() | SMA/DO-214AC | SMA/DO-214AC Pctel SS14 T R | SMA/DO-214AC.pdf | |
![]() | S1T8825B01-RO9O | S1T8825B01-RO9O SAMSUNG TSSOP16 | S1T8825B01-RO9O.pdf | |
![]() | AAT3218IGY-1.2-T1 | AAT3218IGY-1.2-T1 AAT SOT-23-5 | AAT3218IGY-1.2-T1.pdf | |
![]() | K6R1016V1B-JP10T | K6R1016V1B-JP10T SAM SMD or Through Hole | K6R1016V1B-JP10T.pdf | |
![]() | 2CC2 | 2CC2 CHINA SMD or Through Hole | 2CC2.pdf | |
![]() | FT-6V202 | FT-6V202 COPAL SMD or Through Hole | FT-6V202.pdf | |
![]() | LTW-T670DS-003 | LTW-T670DS-003 LiteOn SMD or Through Hole | LTW-T670DS-003.pdf |