창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5363B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5363BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5363B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5363B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1886R1H2R6CZ01D | 2.6pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886R1H2R6CZ01D.pdf | |
![]() | B78148T1273J | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3.6 Ohm Max Radial | B78148T1273J.pdf | |
![]() | AD5678ARUZ-2 | AD5678ARUZ-2 ADI SMD or Through Hole | AD5678ARUZ-2.pdf | |
![]() | AME8500AEETA23Z | AME8500AEETA23Z AME SOT-23-3L | AME8500AEETA23Z.pdf | |
![]() | GRM31CR60J1 | GRM31CR60J1 MURATA SMD or Through Hole | GRM31CR60J1.pdf | |
![]() | 78X50X16 | 78X50X16 ORIGINAL SMD or Through Hole | 78X50X16.pdf | |
![]() | TC9278 | TC9278 TOSHIBA SOP20 | TC9278.pdf | |
![]() | HL-55-09Z 1R 5% J01 | HL-55-09Z 1R 5% J01 MICRONAS NULL | HL-55-09Z 1R 5% J01.pdf | |
![]() | CH31022V200 | CH31022V200 CVI SMD or Through Hole | CH31022V200.pdf | |
![]() | 1N2279R | 1N2279R MSC SMD or Through Hole | 1N2279R.pdf | |
![]() | CKG32KX5R1H105MT000N | CKG32KX5R1H105MT000N TDK SMD | CKG32KX5R1H105MT000N.pdf | |
![]() | 14ST9013PLF | 14ST9013PLF LB SOP | 14ST9013PLF.pdf |