창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5363/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5363/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5363, 1N5363/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| AT-8.000MBFE-T | 8MHz ±50ppm 수정 12pF 120옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-8.000MBFE-T.pdf | ||
![]() | ASFLMB-27.000MHZ-LR-T | 27MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASFLMB-27.000MHZ-LR-T.pdf | |
![]() | R10-E1Y4-J2.5K | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 24VDC Coil Socketable | R10-E1Y4-J2.5K.pdf | |
| S1DXM-A2C10M-DC12V | On-Delay Time Delay Relay DPDT (2 Form C) 0.05 Sec ~ 10 Min Delay 7A @ 250VAC Socket | S1DXM-A2C10M-DC12V.pdf | ||
![]() | MXL55-12 | MXL55-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | MXL55-12.pdf | |
![]() | C3225CH1H473JT000N | C3225CH1H473JT000N TDK SMD | C3225CH1H473JT000N.pdf | |
![]() | UTCLD1117L-5.0V-A | UTCLD1117L-5.0V-A UTC SOT-223 | UTCLD1117L-5.0V-A.pdf | |
![]() | 2.5MB12 | 2.5MB12 LUMBERG SMD or Through Hole | 2.5MB12.pdf | |
![]() | S-80840CNNB-B8Z-T2 | S-80840CNNB-B8Z-T2 SEIKO SMD or Through Hole | S-80840CNNB-B8Z-T2.pdf | |
![]() | DS1267S-100-LF | DS1267S-100-LF DA SMD or Through Hole | DS1267S-100-LF.pdf | |
![]() | LCMXO1200E-3FTN256C | LCMXO1200E-3FTN256C LATTICE BGA256 | LCMXO1200E-3FTN256C.pdf | |
![]() | LVD31D | LVD31D TI SOP-16 | LVD31D.pdf |