창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5361C/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 19.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5361C/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5361C, 1N5361C/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MLF1608A3R3JTD25 | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 1.15 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608A3R3JTD25.pdf | |
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![]() | WP90119L10 | WP90119L10 TI DIP | WP90119L10.pdf | |
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![]() | CY23S08SXI-1HT | CY23S08SXI-1HT CYPRESS SOIC | CY23S08SXI-1HT.pdf | |
![]() | 4N35SR2V-M | 4N35SR2V-M ISOCOM DIPSOP | 4N35SR2V-M.pdf | |
![]() | S71NS256PDOHA3YR0 | S71NS256PDOHA3YR0 SPANSION BGA | S71NS256PDOHA3YR0.pdf | |
![]() | LH52256AK-35 | LH52256AK-35 LH SOJ | LH52256AK-35.pdf | |
![]() | TUF-11AMHSM | TUF-11AMHSM MINI SMD or Through Hole | TUF-11AMHSM.pdf | |
![]() | LMUN5112DW1T1G | LMUN5112DW1T1G LRC SMD or Through Hole | LMUN5112DW1T1G.pdf |