창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5361AE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 19.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5361AE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5361AE, 1N5361AE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ERA-8APB5762V | RES SMD 57.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB5762V.pdf | ||
RG1005N-682-D-T10 | RES SMD 6.8K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-682-D-T10.pdf | ||
ATT-0219-10-NNN-02 | RF Attenuator 10dB ±0.5dB 0 ~ 18GHz 50 Ohm 2W N-Type In-Line Module | ATT-0219-10-NNN-02.pdf | ||
AME8500AEETAF29/AM024 | AME8500AEETAF29/AM024 AME SOT-23 | AME8500AEETAF29/AM024.pdf | ||
03B | 03B Anp SOT-89 | 03B.pdf | ||
FB5S039JA1R2000 | FB5S039JA1R2000 JAE SMD or Through Hole | FB5S039JA1R2000.pdf | ||
AX1117AD | AX1117AD AXELITE TO252-3L | AX1117AD.pdf | ||
SMD1812P110TS/TF | SMD1812P110TS/TF Littelfus SMD or Through Hole | SMD1812P110TS/TF.pdf | ||
216CPIAKA13FG | 216CPIAKA13FG ATI BGA | 216CPIAKA13FG.pdf | ||
LT1761ES5-2.5#TRMPBFTR | LT1761ES5-2.5#TRMPBFTR LINFAR SMD or Through Hole | LT1761ES5-2.5#TRMPBFTR.pdf | ||
98DX1055A1-LGO2KIT | 98DX1055A1-LGO2KIT MARVELL SMD or Through Hole | 98DX1055A1-LGO2KIT.pdf |