창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5360BE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 25V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 18V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5360BE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5360B, 1N5360BE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 5NS123KPMID | 0.012µF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5F 방사형, 디스크 0.748" Dia(19.00mm) | 5NS123KPMID.pdf | |
![]() | 402F30033CDT | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30033CDT.pdf | |
![]() | FESB16FTHE3/81 | DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB | FESB16FTHE3/81.pdf | |
![]() | MCU08050D1621BP100 | RES SMD 1.62K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D1621BP100.pdf | |
![]() | NCV2931ADT-5.0RK | NCV2931ADT-5.0RK ON SOT-252 | NCV2931ADT-5.0RK.pdf | |
![]() | RE5VA21A | RE5VA21A RICOH SMD or Through Hole | RE5VA21A.pdf | |
![]() | STA326/STA32613T 2*60W | STA326/STA32613T 2*60W ST SMD or Through Hole | STA326/STA32613T 2*60W.pdf | |
![]() | STK407-220 | STK407-220 STK ZIP | STK407-220.pdf | |
![]() | 5750340-1 | 5750340-1 TYCO SMD or Through Hole | 5750340-1.pdf | |
![]() | LA1502P | LA1502P SANYO DIP-8L | LA1502P.pdf | |
![]() | HCNW4503-300 | HCNW4503-300 AVAGO SO8 | HCNW4503-300.pdf | |
![]() | 108-2UD3T1770-EV | 108-2UD3T1770-EV MOUNTAINSWITCH/WSI SMD or Through Hole | 108-2UD3T1770-EV.pdf |