창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5360B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 25V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 18V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5360BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5360B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5360B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SI4178DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | SI4178DY-T1-GE3.pdf | |
![]() | Y00621K38506B9L | RES 1.38506KOHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00621K38506B9L.pdf | |
![]() | 26-00053-02A | 26-00053-02A GENESYS QFP | 26-00053-02A.pdf | |
![]() | MRT200 | MRT200 BEL DIP | MRT200.pdf | |
![]() | RH-IXC993WJQZ | RH-IXC993WJQZ SHARP BGA | RH-IXC993WJQZ.pdf | |
![]() | SPX2810AM3-L-3-3 | SPX2810AM3-L-3-3 SipexCorporation SMD or Through Hole | SPX2810AM3-L-3-3.pdf | |
![]() | 942-T4N-2D-1C1-130E | 942-T4N-2D-1C1-130E HONEYWELL SMD or Through Hole | 942-T4N-2D-1C1-130E.pdf | |
![]() | B00017HA | B00017HA Infineon MQFP144 | B00017HA.pdf | |
![]() | 93AA46BT-I/P | 93AA46BT-I/P MICROCHIP DIP-8 | 93AA46BT-I/P.pdf | |
![]() | KM41C1000AZ-8 | KM41C1000AZ-8 SAMSUNG IC | KM41C1000AZ-8.pdf | |
![]() | CH1608HR22K | CH1608HR22K HKT SMD or Through Hole | CH1608HR22K.pdf | |
![]() | TVX1E221MAA | TVX1E221MAA NICHICON DIP | TVX1E221MAA.pdf |