창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5359E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 17.3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5359E3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5359E, 1N5359E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ2225A681JBLAT4X | 680pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A681JBLAT4X.pdf | |
![]() | 416F271XXCKT | 27.12MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271XXCKT.pdf | |
![]() | VS-8EWX06FNTRL-M3 | DIODE HYPERFAST 600V 8A DPAK | VS-8EWX06FNTRL-M3.pdf | |
![]() | LTR18EZPJ180 | RES SMD 18 OHM 3/4W 1206 WIDE | LTR18EZPJ180.pdf | |
![]() | NJM2113R | NJM2113R JRC SMD or Through Hole | NJM2113R.pdf | |
![]() | 9110L34 | 9110L34 SAMHOP SOP-8 | 9110L34.pdf | |
![]() | TMS320F2810PB000A | TMS320F2810PB000A TI QFP | TMS320F2810PB000A.pdf | |
![]() | UPA101G | UPA101G NEC SOP8 | UPA101G.pdf | |
![]() | TRS3222CDWR | TRS3222CDWR TI SSOP-20 | TRS3222CDWR.pdf | |
![]() | IDI79R7024-55J | IDI79R7024-55J ORIGINAL PLCC | IDI79R7024-55J.pdf | |
![]() | KM6164002AJI-17 | KM6164002AJI-17 SAMSUNG SOJ44 | KM6164002AJI-17.pdf | |
![]() | 20BRD24W12LC | 20BRD24W12LC MR DIP8 | 20BRD24W12LC.pdf |