창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5358CE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 15.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5358CE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5358CE, 1N5358CE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
2SC5006-T1-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-523 | 2SC5006-T1-A.pdf | ||
BSP135H6327XTSA1 | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | BSP135H6327XTSA1.pdf | ||
MCR18EZHJ151 | RES SMD 150 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ151.pdf | ||
ERJ-S03F14R3V | RES SMD 14.3 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F14R3V.pdf | ||
Y1453260R000T9L | RES 260 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y1453260R000T9L.pdf | ||
LT1794IFEPBF | LT1794IFEPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1794IFEPBF.pdf | ||
UDZTE-1718B/65/18V | UDZTE-1718B/65/18V ORIGINAL O8O5 | UDZTE-1718B/65/18V.pdf | ||
VT3617169AT-7 | VT3617169AT-7 VT SMD | VT3617169AT-7.pdf | ||
RT11-DC24 | RT11-DC24 ORIGINAL SMD or Through Hole | RT11-DC24.pdf | ||
X39312TC-RG03 | X39312TC-RG03 XICOR 5.2mm-8 | X39312TC-RG03.pdf | ||
LO25-OOJ0512-03E | LO25-OOJ0512-03E MORNSUN SMD or Through Hole | LO25-OOJ0512-03E.pdf | ||
K4S281632FTC-75 | K4S281632FTC-75 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S281632FTC-75.pdf |