창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5358B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 15.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5358BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5358B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5358B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | AISC-0603F-8R2J-T | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 4.5 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | AISC-0603F-8R2J-T.pdf | |
![]() | 4922-46K | 5.6mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 40 Ohm Max 2-SMD | 4922-46K.pdf | |
![]() | TNPW08058K45BEEN | RES SMD 8.45K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08058K45BEEN.pdf | |
![]() | 879E64 MOT | 879E64 MOT MOT BGA | 879E64 MOT.pdf | |
![]() | ABM3B10.000MHZ-10-1-U-T | ABM3B10.000MHZ-10-1-U-T ABRACON SMD | ABM3B10.000MHZ-10-1-U-T.pdf | |
![]() | LD3985G50R. | LD3985G50R. ST SOT23-5 | LD3985G50R..pdf | |
![]() | UN-168EC | UN-168EC CIC DIP | UN-168EC.pdf | |
![]() | AK134-VP | AK134-VP ASAHIKA DIP40 | AK134-VP.pdf | |
![]() | CY7C192-20VC | CY7C192-20VC CY SOJ28 | CY7C192-20VC.pdf | |
![]() | CC50V3.3PF | CC50V3.3PF STTH SMD or Through Hole | CC50V3.3PF.pdf | |
![]() | YW-UTC78M05 | YW-UTC78M05 ORIGINAL TO-252-3 | YW-UTC78M05.pdf | |
![]() | BD9831AMWV | BD9831AMWV ROHM SMD or Through Hole | BD9831AMWV.pdf |