창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5357BRLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1N5357BRLGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5357BRLG | |
| 관련 링크 | 1N5357, 1N5357BRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | T835-600H | TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A IPAK | T835-600H.pdf | |
![]() | LT1021DCN8-10#PBF | LT1021DCN8-10#PBF LINEAR DIP-8 | LT1021DCN8-10#PBF.pdf | |
![]() | 32F8023-CN | 32F8023-CN SSI SOP3.9 | 32F8023-CN.pdf | |
![]() | SG-531P-15.00MHZ | SG-531P-15.00MHZ EPSON SMD or Through Hole | SG-531P-15.00MHZ.pdf | |
![]() | 12-21/G6C-BJ2L2VY/2C | 12-21/G6C-BJ2L2VY/2C EVERLIGHT SMD or Through Hole | 12-21/G6C-BJ2L2VY/2C.pdf | |
![]() | FP10R12NT3 | FP10R12NT3 INFINEON SMD or Through Hole | FP10R12NT3.pdf | |
![]() | EVAL-AD79X4CB | EVAL-AD79X4CB AD SMD or Through Hole | EVAL-AD79X4CB.pdf | |
![]() | MBM29F800T-90PFTN-WD | MBM29F800T-90PFTN-WD FUJ TSSOP | MBM29F800T-90PFTN-WD.pdf | |
![]() | Si8512-C-IS | Si8512-C-IS SiliconLabs SOIC20 | Si8512-C-IS.pdf | |
![]() | R76QN2680DQ30K | R76QN2680DQ30K ORIGINAL DIP | R76QN2680DQ30K.pdf | |
![]() | PPC7506XE662563T | PPC7506XE662563T IBM NA | PPC7506XE662563T.pdf | |
![]() | ILA6107Q | ILA6107Q PHILTPS ZIP12 | ILA6107Q.pdf |