창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5357AE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5357AE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5357A, 1N5357AE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 402F30712IAT | 30.72MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30712IAT.pdf | |
![]() | 016974 | 16.384MHz 수정 | 016974.pdf | |
![]() | 7447715006 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 25 mOhm Max Nonstandard | 7447715006.pdf | |
![]() | CMF552K3200DHR6 | RES 2.32K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF552K3200DHR6.pdf | |
![]() | RN0J686M6L011 | RN0J686M6L011 SAMWHA SMD or Through Hole | RN0J686M6L011.pdf | |
![]() | 2SK2599 | 2SK2599 TOSHIBA TO-126L | 2SK2599.pdf | |
![]() | LTC6906CS6TRPBF | LTC6906CS6TRPBF LT SOT23-6 | LTC6906CS6TRPBF.pdf | |
![]() | VY22549-Q | VY22549-Q PHILIPS TBGA | VY22549-Q.pdf | |
![]() | QG88CPM ES | QG88CPM ES INTEL BGA | QG88CPM ES.pdf | |
![]() | MAX3041EWE+ | MAX3041EWE+ MAXIM SOIC | MAX3041EWE+.pdf | |
![]() | LM1084CZ-3.3 | LM1084CZ-3.3 PJ TO-220 | LM1084CZ-3.3.pdf | |
![]() | K4H510438C-UC | K4H510438C-UC SAMSUNG TSOP | K4H510438C-UC.pdf |