창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5355E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5355E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5355E, 1N5355E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TE28F640J3A110 | TE28F640J3A110 INTEL TSSOP54 | TE28F640J3A110.pdf | |
![]() | 78512 | 78512 ORIGINAL SOT-89 | 78512.pdf | |
![]() | SAM9743 | SAM9743 ORIGINAL SMD or Through Hole | SAM9743.pdf | |
![]() | 144139 | 144139 ORIGINAL BGA | 144139.pdf | |
![]() | 1206AS-3N3K-01 | 1206AS-3N3K-01 Fastron NA | 1206AS-3N3K-01.pdf | |
![]() | MAX3464ESA-T | MAX3464ESA-T MAXIM SOP8 | MAX3464ESA-T.pdf | |
![]() | MMCK67132EV558P | MMCK67132EV558P N/A SMD or Through Hole | MMCK67132EV558P.pdf | |
![]() | 2AP18 | 2AP18 SUNMATE DO-35 | 2AP18.pdf | |
![]() | ILD1150 | ILD1150 INFINEON HSOP14 | ILD1150.pdf | |
![]() | UPD753012GC | UPD753012GC NEC SMD or Through Hole | UPD753012GC.pdf | |
![]() | 216PBCGA13F9700 | 216PBCGA13F9700 ATI BGA | 216PBCGA13F9700.pdf | |
![]() | 0700C-XCXXA-O | 0700C-XCXXA-O DIBCOM BGA | 0700C-XCXXA-O.pdf |