창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5355BRLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1N5355BRLGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5355BRLG | |
| 관련 링크 | 1N5355, 1N5355BRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0326.300HXP | FUSE CERAMIC 300MA 250VAC 125VDC | 0326.300HXP.pdf | |
![]() | RT1206FRD0734RL | RES SMD 34 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0734RL.pdf | |
![]() | H845R3BYA | RES 45.3 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H845R3BYA.pdf | |
![]() | NJG1532KB2-TE2 | RF Switch IC GSM SPDT 3GHz 50 Ohm 6-FLP-B2 | NJG1532KB2-TE2.pdf | |
![]() | MST718DU-LF | MST718DU-LF MST Q | MST718DU-LF.pdf | |
![]() | 35TZV680MHEL12.5X13.5 | 35TZV680MHEL12.5X13.5 RUBYCON Call | 35TZV680MHEL12.5X13.5.pdf | |
![]() | OPA37BZ/883 | OPA37BZ/883 BB DIP | OPA37BZ/883.pdf | |
![]() | E3FE-D13 | E3FE-D13 OMRON DIP | E3FE-D13.pdf | |
![]() | OP4177ARM-R2 | OP4177ARM-R2 ADI SMD or Through Hole | OP4177ARM-R2.pdf | |
![]() | 27C256-25I/J | 27C256-25I/J Microchip DIP | 27C256-25I/J.pdf | |
![]() | BR932C66 | BR932C66 ORIGINAL DIP | BR932C66.pdf | |
![]() | D2P02 01 03 | D2P02 01 03 MOT SOP | D2P02 01 03.pdf |