창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5352BRLG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 11.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1N5352BRLGOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5352BRLG | |
관련 링크 | 1N5352, 1N5352BRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F38022ALR | 38MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38022ALR.pdf | |
![]() | EM78P156E4 | EM78P156E4 N/A DIP | EM78P156E4.pdf | |
![]() | R1LV0408DSA-5SI#S0 | R1LV0408DSA-5SI#S0 RENESAS SMD or Through Hole | R1LV0408DSA-5SI#S0.pdf | |
![]() | DTC-P076B-1 | DTC-P076B-1 ORIGINAL DIP | DTC-P076B-1.pdf | |
![]() | UPC4557C(MS) | UPC4557C(MS) NEC DIP-8 | UPC4557C(MS).pdf | |
![]() | RCHV7022DJ | RCHV7022DJ HV PLCC | RCHV7022DJ.pdf | |
![]() | HC60R | HC60R HC SMD or Through Hole | HC60R.pdf | |
![]() | TDA9981BHL/8/C1.51 | TDA9981BHL/8/C1.51 NXP SMD or Through Hole | TDA9981BHL/8/C1.51.pdf | |
![]() | LSI53C89-95A | LSI53C89-95A ORIGINAL SMD or Through Hole | LSI53C89-95A.pdf | |
![]() | TDKCCR33.86MC6T | TDKCCR33.86MC6T TDK SMD or Through Hole | TDKCCR33.86MC6T.pdf | |
![]() | QG82975X (SL8YS) | QG82975X (SL8YS) ORIGINAL BGA | QG82975X (SL8YS).pdf |