창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5350CE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5350CE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5350CE, 1N5350CE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | SIT3809AI-G-33NB | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA | SIT3809AI-G-33NB.pdf | |
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![]() | 220L-1-101 | 220L-1-101 APEM SMD or Through Hole | 220L-1-101.pdf | |
![]() | LN1236DMA/NA | LN1236DMA/NA NS DIP24 | LN1236DMA/NA.pdf | |
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![]() | 575D45-12 | 575D45-12 Opto SMD or Through Hole | 575D45-12.pdf | |
![]() | V0921BZ1702/4280 | V0921BZ1702/4280 FUJITSU SMD or Through Hole | V0921BZ1702/4280.pdf | |
![]() | 2AL2-PR03 | 2AL2-PR03 ORIGINAL CGA | 2AL2-PR03.pdf | |
![]() | RN5T655 | RN5T655 RICOH SMD or Through Hole | RN5T655.pdf |