창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5349BE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 8.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5349BE3MSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5349BE3 | |
| 관련 링크 | 1N534, 1N5349BE3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805A100MXGAT5Z | 10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805A100MXGAT5Z.pdf | |
![]() | 1825AC562KAT1A | 5600pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825AC562KAT1A.pdf | |
![]() | TAP336K016SRW | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V Radial 1.6 Ohm 0.236" Dia (6.00mm) | TAP336K016SRW.pdf | |
![]() | TNPW1206252KBEEA | RES SMD 252K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206252KBEEA.pdf | |
![]() | RP73D2B24K3BTG | RES SMD 24.3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B24K3BTG.pdf | |
![]() | CMF55470R00FKEA70 | RES 470 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55470R00FKEA70.pdf | |
![]() | CMF551K9600FHR6 | RES 1.96K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K9600FHR6.pdf | |
![]() | T492C106K015BS | T492C106K015BS KEMET SMD | T492C106K015BS.pdf | |
![]() | C2012CH080DT000A(0805-8P) | C2012CH080DT000A(0805-8P) TDK SMD or Through Hole | C2012CH080DT000A(0805-8P).pdf | |
![]() | MAAM2300-A1 | MAAM2300-A1 MACOM SMD | MAAM2300-A1.pdf | |
![]() | P51-1000-A-B-I36-4.5OV-R | P51-1000-A-B-I36-4.5OV-R SSITechnologies SMD or Through Hole | P51-1000-A-B-I36-4.5OV-R.pdf | |
![]() | HPMX-2005-TR1G | HPMX-2005-TR1G AVAGO SMD or Through Hole | HPMX-2005-TR1G.pdf |