창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5349AE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 8.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5349AE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5349A, 1N5349AE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
7A-13.000MAHE-T | 13MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-13.000MAHE-T.pdf | ||
SR221A222JARTR1 | SR221A222JARTR1 AVX SMD | SR221A222JARTR1.pdf | ||
LT1877 | LT1877 LT SOP | LT1877.pdf | ||
GBPC1508S | GBPC1508S WTE SMD or Through Hole | GBPC1508S.pdf | ||
B4CA012P | B4CA012P ORIGINAL SMD or Through Hole | B4CA012P.pdf | ||
N2EFSW5V12W003904810 | N2EFSW5V12W003904810 ORIGINAL SMD or Through Hole | N2EFSW5V12W003904810.pdf | ||
EWD512S1 | EWD512S1 IPD SMD or Through Hole | EWD512S1.pdf | ||
LT1615IS5(LTXZ) | LT1615IS5(LTXZ) LT SOT23 | LT1615IS5(LTXZ).pdf | ||
OPA348AIDCKR/KT | OPA348AIDCKR/KT TI/BB SC-70 | OPA348AIDCKR/KT.pdf | ||
RS1117B-2.5V | RS1117B-2.5V ORIGINAL SOT-223 | RS1117B-2.5V.pdf | ||
IRKU105/08AS90 | IRKU105/08AS90 IOR ADD-A-Pak | IRKU105/08AS90.pdf | ||
KFG1216U2A-PIB5 | KFG1216U2A-PIB5 SAMSUNG BGA | KFG1216U2A-PIB5.pdf |