창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5347E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 7.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5347E3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5347E, 1N5347E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
TS11DF23CDT | 11.2896MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS11DF23CDT.pdf | ||
416F38413ATR | 38.4MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38413ATR.pdf | ||
4114NH5 | 4114NH5 ORIGINAL NEW | 4114NH5.pdf | ||
X94000WV24IZ-2.7 | X94000WV24IZ-2.7 INTERSIL TSSOP-24 | X94000WV24IZ-2.7.pdf | ||
ADM214LJR | ADM214LJR ADI SOP7.2 | ADM214LJR.pdf | ||
RCR183S | RCR183S INFINEON SOT363 | RCR183S.pdf | ||
SE6001 | SE6001 PH CAN | SE6001.pdf | ||
CM75E3U-12E | CM75E3U-12E ORIGINAL SMD or Through Hole | CM75E3U-12E.pdf | ||
AD8554ANZ | AD8554ANZ ADI DIP-14 | AD8554ANZ.pdf | ||
BS62UV256SCG-15 | BS62UV256SCG-15 BSI SOP28 | BS62UV256SCG-15.pdf | ||
164A12149X | 164A12149X CONEC ORIGINAL | 164A12149X.pdf | ||
MAX1683EPA | MAX1683EPA MAXIM DIP8 | MAX1683EPA.pdf |