창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5347BRLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 7.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1N5347BRLGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5347BRLG | |
| 관련 링크 | 1N5347, 1N5347BRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HCM4925000000ABKT | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4925000000ABKT.pdf | |
| 784383210047 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 95 mOhm Max 2-SMD, No Lead (DFN, LCC) | 784383210047.pdf | ||
![]() | I4H65AQ1 | I4H65AQ1 ORIGINAL QFP | I4H65AQ1.pdf | |
![]() | TE03LA-4R7N-T | TE03LA-4R7N-T SAGAMI SMD or Through Hole | TE03LA-4R7N-T.pdf | |
![]() | BCM54610C1IMLG | BCM54610C1IMLG Broadcom NA | BCM54610C1IMLG.pdf | |
![]() | 8812147208W | 8812147208W TAIOHM SMD or Through Hole | 8812147208W.pdf | |
![]() | BM9168-2.5 | BM9168-2.5 BM SOT23-3 | BM9168-2.5.pdf | |
![]() | 20BQ020 | 20BQ020 IRF DO214AA | 20BQ020.pdf | |
![]() | NTJS4160NT1 | NTJS4160NT1 ON SMD or Through Hole | NTJS4160NT1.pdf | |
![]() | TL712CDRE4 | TL712CDRE4 TexasInstruments SMD or Through Hole | TL712CDRE4.pdf | |
![]() | PC-114 | PC-114 ORIGINAL SMD or Through Hole | PC-114.pdf | |
![]() | XC3S200-4VQ100CES | XC3S200-4VQ100CES XILINX QFP100 | XC3S200-4VQ100CES.pdf |