창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5347AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 7.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5347AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5347AE, 1N5347AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
TV15C161J-G | TVS DIODE 160VWM 259VC SMC | TV15C161J-G.pdf | ||
CX3225GB33333D0HPQZ1 | 33.333MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB33333D0HPQZ1.pdf | ||
AISM-1210-121K-T | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 70mA 11 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | AISM-1210-121K-T.pdf | ||
700007-001 | 700007-001 N/A QFP-144 | 700007-001.pdf | ||
2SC2812-L5 | 2SC2812-L5 SANYO SMD or Through Hole | 2SC2812-L5.pdf | ||
102154-8 | 102154-8 TYCO con | 102154-8.pdf | ||
XC2VP20-6FFG896I | XC2VP20-6FFG896I XILINX BGA | XC2VP20-6FFG896I.pdf | ||
TSP54160DGQR | TSP54160DGQR TI MSOP-10 | TSP54160DGQR.pdf | ||
TLP781(GB)-TOS# | TLP781(GB)-TOS# TOSHIBA NA | TLP781(GB)-TOS#.pdf | ||
V23103-S | V23103-S SIEMENS SMD or Through Hole | V23103-S.pdf | ||
216U1SASA11H | 216U1SASA11H ATI BGA | 216U1SASA11H.pdf | ||
ATTINY48V | ATTINY48V ATMEL NA | ATTINY48V.pdf |