창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5340B/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5340B/TR12 | |
관련 링크 | 1N5340B, 1N5340B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
IRGP4620DPBF | IGBT 600V 32A 140W TO247AC | IRGP4620DPBF.pdf | ||
0402CS-10NXJLW | 0402CS-10NXJLW ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402CS-10NXJLW.pdf | ||
S-1711A2818-16T1G | S-1711A2818-16T1G ORIGINAL QFN | S-1711A2818-16T1G.pdf | ||
C2012B1A155KT | C2012B1A155KT TDK SMD or Through Hole | C2012B1A155KT.pdf | ||
2SD858P | 2SD858P TOSHIBA DIP | 2SD858P.pdf | ||
SI3493DV-T1-GE3 | SI3493DV-T1-GE3 VISHAY TSOP-6 | SI3493DV-T1-GE3.pdf | ||
G1257K-ES2 | G1257K-ES2 N/A QFN | G1257K-ES2.pdf | ||
SXK1062062/101RA | SXK1062062/101RA OTHER SMD or Through Hole | SXK1062062/101RA.pdf | ||
SN65LVDSIDBVR | SN65LVDSIDBVR TEXAS SMD or Through Hole | SN65LVDSIDBVR.pdf | ||
TPRH0704F-1R0M | TPRH0704F-1R0M UH 7.37.34.5 | TPRH0704F-1R0M.pdf | ||
FDS4935/A | FDS4935/A ORIGINAL SOP8 | FDS4935/A.pdf |