창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5338C/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5338C/TR12 | |
관련 링크 | 1N5338C, 1N5338C/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | CA5075120R0KS70 | RES 120 OHM 3.75W 10% AXIAL | CA5075120R0KS70.pdf | |
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![]() | XC3S50VQ100EGQ | XC3S50VQ100EGQ XILINX QFP | XC3S50VQ100EGQ.pdf | |
![]() | LA29B/HY4GXY-PF | LA29B/HY4GXY-PF LIGITEK ROHS | LA29B/HY4GXY-PF.pdf | |
![]() | TN80C186EA20PLCC-68 | TN80C186EA20PLCC-68 ORIGINAL SMD or Through Hole | TN80C186EA20PLCC-68.pdf | |
![]() | 2599M03A | 2599M03A MOLEX SMD or Through Hole | 2599M03A.pdf | |
![]() | BZV55-C3V6(3.6V) | BZV55-C3V6(3.6V) PHILIPS SMD or Through Hole | BZV55-C3V6(3.6V).pdf | |
![]() | 1352-144411R ROHS | 1352-144411R ROHS NEWTEK SMD or Through Hole | 1352-144411R ROHS.pdf | |
![]() | ELXV250ELL182ML25S | ELXV250ELL182ML25S NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | ELXV250ELL182ML25S.pdf | |
![]() | K7P323666M-HC25000 | K7P323666M-HC25000 SAMSUNG BGA119 | K7P323666M-HC25000.pdf |