창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5337BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5337BE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5337BE, 1N5337BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 402F38411CJR | 38.4MHz ±10ppm 수정 9pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F38411CJR.pdf | |
![]() | ALZ51F12T | ALZ RELAY 1 FORM A 12V | ALZ51F12T.pdf | |
![]() | 1N1672 | 1N1672 MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N1672.pdf | |
![]() | 2096D | 2096D N/A DIP-8 | 2096D.pdf | |
![]() | 34262 | 34262 ON SOP8 | 34262.pdf | |
![]() | SQV453226T-152K-N | SQV453226T-152K-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SQV453226T-152K-N.pdf | |
![]() | CVOJ221MRANG | CVOJ221MRANG POSCAP C | CVOJ221MRANG.pdf | |
![]() | H5TQ1G83TFR G7C | H5TQ1G83TFR G7C HYNIX BGA | H5TQ1G83TFR G7C.pdf | |
![]() | XC2V1000-FG456CC | XC2V1000-FG456CC XILINX BGA | XC2V1000-FG456CC.pdf | |
![]() | 925662-1 | 925662-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 925662-1.pdf | |
![]() | CRA12E1603220JRB8 | CRA12E1603220JRB8 VISHAY SMD | CRA12E1603220JRB8.pdf | |
![]() | MAX3869EMIQ | MAX3869EMIQ MAX QFP | MAX3869EMIQ.pdf |