창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5337/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5337/TR12 | |
관련 링크 | 1N5337, 1N5337/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | EKZN100ELL153MM40S | 15000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | EKZN100ELL153MM40S.pdf | |
![]() | 416F380X2CAR | 38MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X2CAR.pdf | |
![]() | 1N4001G | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | 1N4001G.pdf | |
![]() | IMB35652M12 | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) | IMB35652M12.pdf | |
![]() | 200341681 | 200341681 N/A SMD or Through Hole | 200341681.pdf | |
![]() | LM236DR-2-5 | LM236DR-2-5 NA SMD | LM236DR-2-5.pdf | |
![]() | BY269 | BY269 VISHAY SMD or Through Hole | BY269.pdf | |
![]() | PPC750S-BB500B3 | PPC750S-BB500B3 IBM BGA | PPC750S-BB500B3.pdf | |
![]() | LXT9056LC | LXT9056LC LEVEIONE QFP | LXT9056LC.pdf | |
![]() | 16LC76T-04I/SO | 16LC76T-04I/SO MIOROCHIP SMD or Through Hole | 16LC76T-04I/SO.pdf | |
![]() | TXC02021-AIPL | TXC02021-AIPL TRANSWITC PLCC68 | TXC02021-AIPL.pdf | |
![]() | PX1011BI-EL1 | PX1011BI-EL1 NXP SMD or Through Hole | PX1011BI-EL1.pdf |