창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5335E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5335E3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5335E, 1N5335E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LP122F35CET | 12.288MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP122F35CET.pdf | |
![]() | MKBPC1006 | MKBPC1006 HY/ SMD or Through Hole | MKBPC1006.pdf | |
![]() | M29W640F8-70N6 | M29W640F8-70N6 ORIGINAL TSSOP | M29W640F8-70N6.pdf | |
![]() | 101S43W474M | 101S43W474M ORIGINAL SMD or Through Hole | 101S43W474M.pdf | |
![]() | TD101F1200KEC | TD101F1200KEC AEG SMD or Through Hole | TD101F1200KEC.pdf | |
![]() | PCXD9878MA | PCXD9878MA SONY HSSOP36 | PCXD9878MA.pdf | |
![]() | 36BSB-T26 | 36BSB-T26 ST SMD or Through Hole | 36BSB-T26.pdf | |
![]() | SL7ZG | SL7ZG ORIGINAL SMD or Through Hole | SL7ZG.pdf | |
![]() | HD6433631B76H | HD6433631B76H HITACHI QFP | HD6433631B76H.pdf | |
![]() | NXH50V47uF (6*11) | NXH50V47uF (6*11) ORIGINAL SMD or Through Hole | NXH50V47uF (6*11).pdf | |
![]() | PHP12N30E | PHP12N30E PH TO-220 | PHP12N30E.pdf | |
![]() | MM74F381N | MM74F381N NS SMD or Through Hole | MM74F381N.pdf |