창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5277A(DO-35)TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1700옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 122V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1N5277A(DO-35) 1N5277A(DO-35)MSTR-ND 1N5277A(DO-35)TRTR 1N5277ADO35MSTR 1N5277ADO35MSTR-ND 1N5277B 1N5277BMSTR 1N5277BMSTR-ND 1N5277DO35 1N5277DO35MSTR 1N5277DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5277A(DO-35)TR | |
관련 링크 | 1N5277A(D, 1N5277A(DO-35)TR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ABM10AIG-24.000MHZ-4Z-T3 | 24MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-24.000MHZ-4Z-T3.pdf | |
![]() | LP330F23IDT | 33MHz ±20ppm 수정 18pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP330F23IDT.pdf | |
![]() | SFR2500003304JA100 | RES 3.3M OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500003304JA100.pdf | |
![]() | MSF4800S-20-1400 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800S-20-1400.pdf | |
![]() | SA647 | SA647 PHI TSOP20 | SA647.pdf | |
![]() | TLV320AIC28IRGZR(AIC | TLV320AIC28IRGZR(AIC TI QFN-48 | TLV320AIC28IRGZR(AIC.pdf | |
![]() | G6S-2 24VDC | G6S-2 24VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G6S-2 24VDC.pdf | |
![]() | HC-0023 | HC-0023 ORIGINAL SMD or Through Hole | HC-0023.pdf | |
![]() | NRA105M16R3 | NRA105M16R3 NEC A | NRA105M16R3.pdf | |
![]() | TEA1045T | TEA1045T SIEMENS DIP | TEA1045T.pdf | |
![]() | BB722 | BB722 ORIGINAL SMD or Through Hole | BB722 .pdf | |
![]() | PBSS5130T215 | PBSS5130T215 nxp SMD or Through Hole | PBSS5130T215.pdf |