창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5276BDO35 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1500옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 114V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1N5276B 1N5276B(DO-35)MSTR 1N5276BDO35MSTR 1N5276BDO35MSTR-ND 1N5276BMSTR 1N5276BMSTR-ND 1N5276DO35 1N5276DO35MSTR 1N5276DO35MSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5276BDO35 | |
| 관련 링크 | 1N5276, 1N5276BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | LQM21PN3R3MGRD | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 1A 188 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQM21PN3R3MGRD.pdf | |
![]() | MBA02040C3600FRP00 | RES 360 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3600FRP00.pdf | |
![]() | NEC2532-4 | NEC2532-4 NEC SOP16 | NEC2532-4.pdf | |
![]() | FP130DR-LF | FP130DR-LF FEELING SOP-8 | FP130DR-LF.pdf | |
![]() | HFA30PB120 | HFA30PB120 IR TO-3P-2L | HFA30PB120 .pdf | |
![]() | CSP1093CR1RT10DT | CSP1093CR1RT10DT AGERE SMD or Through Hole | CSP1093CR1RT10DT.pdf | |
![]() | 7M30000004 | 7M30000004 TXC 3225 | 7M30000004.pdf | |
![]() | B59860-C0080-A070 | B59860-C0080-A070 EPCOS DIP | B59860-C0080-A070.pdf | |
![]() | LM2808 | LM2808 NS DIP | LM2808.pdf | |
![]() | IS0120BG | IS0120BG BB DIP-16P | IS0120BG.pdf | |
![]() | E07110K0AM | E07110K0AM EPSON BGA2727 | E07110K0AM.pdf |