창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5276BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1500옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5276B 1N5276B(DO-35)MSTR 1N5276BDO35MSTR 1N5276BDO35MSTR-ND 1N5276BMSTR 1N5276BMSTR-ND 1N5276DO35 1N5276DO35MSTR 1N5276DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5276BDO35 | |
관련 링크 | 1N5276, 1N5276BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
1.5SMC100AHE3/57T | TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO214AB | 1.5SMC100AHE3/57T.pdf | ||
TS640T33IET | 64MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS640T33IET.pdf | ||
CMF558R0600FKEB | RES 8.06 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF558R0600FKEB.pdf | ||
CW02B24R00JE12HE | RES 24 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B24R00JE12HE.pdf | ||
MSM56V16160F-8TK7R | MSM56V16160F-8TK7R OKI SOP-50L | MSM56V16160F-8TK7R.pdf | ||
74LS645-1D | 74LS645-1D S SMD | 74LS645-1D.pdf | ||
CXD2540Q-11 | CXD2540Q-11 SONY QFP | CXD2540Q-11.pdf | ||
HR1000-LF-Z | HR1000-LF-Z MPS SOP-16 | HR1000-LF-Z.pdf | ||
LM2587SX50 | LM2587SX50 nsc SMD or Through Hole | LM2587SX50.pdf | ||
R25XT24J223 | R25XT24J223 QVSTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | R25XT24J223.pdf |