창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5276BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1500옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5276B 1N5276B(DO-35)MSTR 1N5276BDO35MSTR 1N5276BDO35MSTR-ND 1N5276BMSTR 1N5276BMSTR-ND 1N5276DO35 1N5276DO35MSTR 1N5276DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5276BDO35 | |
관련 링크 | 1N5276, 1N5276BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RNF14FTD357K | RES 357K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD357K.pdf | |
![]() | SE2598L-R | RF Amplifier IC 802.11b/g/n 2.4GHz ~ 2.5GHz 16-QFN (3x3) | SE2598L-R.pdf | |
![]() | BZX585-B7V5,115 | BZX585-B7V5,115 NXP 2012 | BZX585-B7V5,115.pdf | |
![]() | SII9030CTU-TR7 | SII9030CTU-TR7 SILICON 1KR | SII9030CTU-TR7.pdf | |
![]() | VT82C686B/CD | VT82C686B/CD VIA BGA | VT82C686B/CD.pdf | |
![]() | 320/192-7AC-10AI | 320/192-7AC-10AI AMD BGA | 320/192-7AC-10AI.pdf | |
![]() | ISL9N315AD3 | ISL9N315AD3 FAIRCHILD SMD or Through Hole | ISL9N315AD3.pdf | |
![]() | DH2TU-24VDC | DH2TU-24VDC DEC SMD or Through Hole | DH2TU-24VDC.pdf | |
![]() | MLN0805-102 0805 100 | MLN0805-102 0805 100 FERROXCUBEBEAD Ferroxcube multilaye | MLN0805-102 0805 100.pdf | |
![]() | IDT79R3081E40MJ | IDT79R3081E40MJ IDT PLCC-84 | IDT79R3081E40MJ.pdf |