창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5273BDO35 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1N5273B 1N5273BDO35MSTR 1N5273BDO35MSTR-ND 1N5273BMSTR 1N5273BMSTR-ND 1N5273DO35 1N5273DO35MSTR 1N5273DO35MSTR-ND | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 91V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5273BDO35 | |
| 관련 링크 | 1N5273, 1N5273BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | B43305B5227M62 | 220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 620 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305B5227M62.pdf | |
|  | SDURB520TR | DIODE GEN PURP 200V D2PAK | SDURB520TR.pdf | |
|  | JANTX1N4963 | JANTX1N4963 MSC A | JANTX1N4963.pdf | |
|  | 65LBC182DR | 65LBC182DR TI SOP8 | 65LBC182DR.pdf | |
|  | E28F200CV-B60ES | E28F200CV-B60ES INTEL SMD or Through Hole | E28F200CV-B60ES.pdf | |
|  | TB6559 | TB6559 Toshiba SMD or Through Hole | TB6559.pdf | |
|  | PFN0716NP-NM39A | PFN0716NP-NM39A SUMIDA SMD or Through Hole | PFN0716NP-NM39A.pdf | |
|  | CA9H2.54700HMS | CA9H2.54700HMS ACP SMD or Through Hole | CA9H2.54700HMS.pdf | |
|  | CMD28-21VRC/TR8/T1 | CMD28-21VRC/TR8/T1 CML SMD or Through Hole | CMD28-21VRC/TR8/T1.pdf | |
|  | MMZ1005B601C | MMZ1005B601C TDK SMD | MMZ1005B601C.pdf | |
|  | 289GT | 289GT ORIGINAL NEW | 289GT.pdf | |
|  | AM29LV065DU120REF | AM29LV065DU120REF AMD TSOP | AM29LV065DU120REF.pdf |